特許

J-GLOBAL ID：200903025680052440

フォトレジストアッシング残滓洗浄剤

発明者： 山下 喜文 ,  見神 一郎 ,  野仲 徹
出願人/特許権者： 株式会社トクヤマ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-233179
公開番号（公開出願番号）：特開2000-063895
出願日： 1998年08月19日
公開日（公表日）： 2000年02月29日
要約：

【要約】フォトレジストの不完全灰化物や側壁堆積膜等のフォトレジストアッシング残滓を良好に除去でき、基板ウェハ上の絶縁膜や導電性膜の腐食性も低いフォトレジストアッシング残滓洗浄剤を開発すること。【解決手段】a)フッ化アンモニウム化合物、及びb)非イオン系界面活性剤、好適には多価アルコール誘導体型非イオン系界面活性剤の水溶液からなるフォトレジストアッシング残滓洗浄剤。

請求項（抜粋）：

a)フッ化アンモニウム化合物、及びb)非イオン系界面活性剤の水溶液からなるフォトレジストアッシング残滓洗浄剤。

IPC (5件)：

C11D 10/02 ,  C11D 17/08 ,  G03F 7/42 ,  C11D 3:04 ,  C11D 1:66

FI (3件)：

C11D 10/02 ,  C11D 17/08 ,  G03F 7/42

Fターム (10件)：

2H096AA25 ,  2H096HA30 ,  2H096LA30 ,  4H003AC03 ,  4H003AC04 ,  4H003BA12 ,  4H003DA15 ,  4H003DB03 ,  4H003EA05 ,  4H003FA15

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体素子製造用洗浄液及びそれを用いた半導体素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-211217   出願人：株式会社日立製作所, 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社, 三菱瓦斯化学株式会社
• 半導体素子製造用洗浄剤及びそれを用いた半導体素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-132228   出願人：日本テキサス・インスツルメンツ株式会社, 三菱瓦斯化学株式会社