特許

J-GLOBAL ID：200903025688166215

炭化ケイ素ナノワイヤーの製造方法

発明者： 荒木 弘 ,  楊 文 ,  胡 全利 ,  鈴木 裕 ,  野田 哲二
出願人/特許権者： 独立行政法人物質・材料研究機構
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-085571
公開番号（公開出願番号）：特開2004-292222
出願日： 2003年03月26日
公開日（公表日）： 2004年10月21日
要約：

【課題】簡便な方法で長さと直径が大きい炭化ケイ素(SiC)ナノワイヤーを製造する。【解決手段】クロロシランをキャリアーガスとともに1〜100Torrの減圧気流中で温度900〜1300°Cに加熱する。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

クロロシランを1〜100Torrの範囲の減圧雰囲気下、キャリアーガス気流中、900°C以上1300°C以下の温度範囲に加熱することを特徴とする炭化ケイ素ナノワイヤーの製造方法。

IPC (2件)：

C01B31/36 ,  D01F9/10

FI (3件)：

C01B31/36 601J ,  C01B31/36 601Y ,  D01F9/10 A

Fターム (11件)：

4G146MA15 ,  4G146MB09 ,  4G146MB23 ,  4L037CS29 ,  4L037FA02 ,  4L037FA05 ,  4L037FA20 ,  4L037PA03 ,  4L037PA15 ,  4L037PA28 ,  4L037UA20