特許
J-GLOBAL ID：200903025690241801
太陽電池の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-330381
公開番号（公開出願番号）：特開平7-193263
出願日： 1993年12月27日
公開日（公表日）： 1995年07月28日
要約：
【要約】【目的】 シリコン基板の光閉込め構造の形成と低温でのBSF層の形成を1つの工程で行なう。【構成】 受光面側にPN接合が形成されたシリコン基板6の裏面へ、絶縁膜を形成し、この絶縁膜に複数の開口部を形成し、この開口部を含む裏面全面にAlペーストを印刷し焼成することにより、シリコン基板6の裏面に微細な凹凸構造と凹凸壁面に沿ったBSF層11を同時に低温で形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板にPN接合を形成する工程と、前記基板裏面に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜に開口部を形成する工程と、前記開口部を含む絶縁膜上に、半導体基板中に拡散したとき半導体基板と同じ導電型の高濃度層を形成する性質を有する金属を含む導電性ペーストを印刷する工程と、前記ペーストを熱処理し開口部周辺に拡散した金属により半導体基板と同じ導電型の微細な凹凸壁面を有する高濃度層を形成する工程と、を有することを特徴とする太陽電池の製造方法。
FI (2件)：
H01L 31/04 H
, H01L 31/04 A
