特許

J-GLOBAL ID：200903025696761440

ホスホン酸ジエステル誘導体およびその製造方法

発明者： 平竹 潤 ,  坂田 完三 ,  韓 立友
出願人/特許権者： 国立大学法人京都大学
代理人 (1件)： 山田 義人
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2006324412
公開番号（公開出願番号）：WO2007-066705
出願日： 2006年11月30日
公開日（公表日）： 2007年06月14日
要約：

一般式(1)(式中、R1およびR2の少なくともいずれか一方が脱離基を表す。)で示される、ホスホン酸ジエステル誘導体である。

請求項（抜粋）：

一般式(1)

IPC (2件)：

C07F 9/40 ,  C07F 9/656

FI (2件)：

C07F9/40 D ,  C07F9/6561

Fターム (8件)：

4H039CA52 ,  4H039CD30 ,  4H050AA01 ,  4H050AA02 ,  4H050AB20 ,  4H050AC80 ,  4H050WA15 ,  4H050WA23