特許

J-GLOBAL ID：200903025704799401

コンタクトの形成方法、共振器構造、及びEL装置

発明者： 世良 博
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 上柳 雅誉 ,  藤綱 英吉 ,  須澤 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-332747
公開番号（公開出願番号）：特開2006-147218
出願日： 2004年11月17日
公開日（公表日）： 2006年06月08日
要約：

【課題】 共振器にエッチングを用いて形成されたコンタクトホールの凹凸部による、導電部の断線を防止し、歩留まりを向上した、コンタクトの形成方法、共振器構造及びこの共振器構造を備えたEL装置を提供する。【解決手段】 下部導電部236と上部導電部141との間に設けられた、異なる誘電体層10a、10bが複数積層されてなる共振器10に、エッチングによって内壁面に凹凸部15のあるコンタクトホール20を設けて、コンタクトホール20の内壁面を覆う、下部導電部236と上部導電部141とを導通させるための、導電材料からなるコンタクト25の形成方法である。下部導電部236上に共振器20を形成し、共振器10にエッチングによってコンタクトホール20を形成する。そして、コンタクトホール20の内壁面を、凹凸部15の凹部に対する凸部の高さの150%以上の厚みの導電材料によって覆うようにしてコンタクト25を形成する。【選択図】 図6

請求項（抜粋）：

下部導電部と上部導電部との間に設けられた、異なる誘電体層が複数積層されてなる共振器に、エッチングによって内壁面に凹凸部のあるコンタクトホールを設けて、該コンタクトホールの内壁面を覆う、前記下部導電部と上部導電部とを導通させるための、導電材料からなるコンタクトの形成方法であって、 前記下部導電部上に前記共振器を形成する工程と、 前記共振器にエッチングによってコンタクトホールを形成する工程と、 前記コンタクトホールの内壁面を、前記凹凸部の凹部に対する凸部の高さの150%以上の厚みの導電材料によって覆うようにしてコンタクトを形成する工程と、 を備えたことを特徴とするコンタクトの形成方法。

IPC (4件)：

H05B 33/10 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/24 ,  H01L 21/768

FI (4件)：

H05B33/10 ,  H05B33/14 A ,  H05B33/24 ,  H01L21/90 A

Fターム (16件)：

3K007AB18 ,  3K007BA06 ,  3K007DB03 ,  3K007EA04 ,  3K007FA00 ,  5F033HH38 ,  5F033JJ38 ,  5F033NN32 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033TT02 ,  5F033VV15 ,  5F033WW02

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-020892   出願人：株式会社リコー