特許
J-GLOBAL ID:200903025716278989
マイクロアクチュエータおよびその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
西教 圭一郎 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-222179
公開番号(公開出願番号):特開平8-088419
出願日: 1994年09月16日
公開日(公表日): 1996年04月02日
要約:
【要約】【目的】 低電圧で駆動可能で、圧電層の結晶性を向上することができるマイクロアクチュエータおよびその製造方法を提供する。【構成】 マイクロアクチュエータ41の積層体32は、蒸着による成膜工程によって形成された圧電層24の両側に電極23を有する圧電部材が、陽極接合法による接合によって所定の積層数だけ積層されて構成される。電極層33a,33bと外部電極43との接続は、積層体32の側面に絶縁層36,37を形成した後、その絶縁層36,37に溝36a,37aを形成し、その溝36a,37aを介して行われる。圧電層24の厚さは、0.1μm〜10μmの値に設定される。また圧電層24は結晶によって構成され、その結晶のC軸は圧電層24の厚み方向に配向されている。
請求項(抜粋):
圧電性および電歪性を有する圧電層と電極層とが交互に積層される積層体の側面に、互いに対向する一対の絶縁層が形成され、奇数番目の各電極層の一端部および偶数番目の各電極層の他端部に達する溝が、絶縁層の表面に複数形成され、絶縁層の表面に、前記溝を介して電極層に電気的に接続される外部電極が形成されることを特徴とするマイクロアクチュエータ。
IPC (2件):
FI (2件):
H01L 41/08 Q
, H01L 41/22 Z
引用特許: