可変減衰器

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-218972
公開番号（公開出願番号）：特開平8-084041
出願日： 1994年09月13日
公開日（公表日）： 1996年03月26日
要約：

【要約】【目的】入力信号依存性の小さい可変減衰器を実現する。【構成】入力端子11と出力端子12および基準電位端子の間に接続された複数の抵抗R11〜R12からなる減衰回路に、そのオン・オフにより利得を制御するGaAs MESFETQ11〜Q12を接続し、FETQ11〜Q12のゲートに所定の電流を注入することでゲートとソースおよびドレイン間の電圧を注入する電流とFETの断面積で決まるショットキー接合のオン電圧としてFETをオン状態とし、FETQ11〜Q12のゲートとソースおよびドレイン間にしきい値電圧より低い電圧値を与えることで、FETQ11〜Q12をオフ状態とする。

請求項（抜粋）：

入力端子と出力端子および基準電位端子の間に接続された複数の抵抗からなる減衰回路と、この減衰回路に接続され、そのオン・オフにより該減衰回路の利得を制御する接合型FETと、この接合型FETをオン・オフ制御する制御手段とを備え、前記制御手段は、前記接合型FETのゲートに所定の電流を注入することで該FETをオン状態とし、該FETのゲートとソースおよびドレイン間にしきい値電圧より低い電圧値を与えることで該FETをオフ状態とすることを特徴とする可変減衰器。

IPC (2件)：

H03H 7/24 , H03H 11/24

引用特許：

審査官引用 (13件)

特開昭49-049554
特開昭49-049554
特開昭49-049554

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