炭素構造体の製造装置および製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中島淳 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-167340
公開番号（公開出願番号）：特開2002-356316
出願日： 2001年06月01日
公開日（公表日）： 2002年12月13日
要約：

【要約】【課題】アモルファスカーボンやグラファイト粒子等の不純物濃度が低い、高純度のフラーレンやカーボンナノチューブ等の炭素構造体を、工業的に効率良く低コストで合成することのできる炭素構造体の製造装置および製造方法を提供すること。【解決手段】少なくとも、最先端部が対向する2つの電極11,12と、電極11,12間の放電領域に放電プラズマを生成するべく電極11,12間に電圧を印加する電源18と、を備える炭素構造体の製造装置であって、さらに、前記放電プラズマの生成領域に、少なくとも、多方向の磁力線を有する磁場、または、放電電流の進行方向に対して平行な成分を有する磁場を形成する磁界発生手段20〜23を備えることを特徴とする炭素構造体の製造装置である。また、かかる作用を利用した炭素構造体の製造方法である。

請求項（抜粋）：

少なくとも、最先端部が対向する2つの電極と、該電極間の放電領域に放電プラズマを生成するべく前記電極間に電圧を印加する電源と、を備える炭素構造体の製造装置であって、さらに、前記放電プラズマの生成領域に、少なくとも、多方向の磁力線を有する磁場、または、放電電流の進行方向に対して平行な成分を有する磁場を形成する磁界発生手段を備えることを特徴とする炭素構造体の製造装置。

IPC (2件)：

C01B 31/02 101 , B01J 19/08

FI (3件)：

C01B 31/02 101 F , B01J 19/08 D , B01J 19/08 E

Fターム (12件)：

4G046CC06 , 4G046CC09 , 4G075AA23 , 4G075CA15 , 4G075CA42 , 4G075CA47 , 4G075CA65 , 4G075DA02 , 4G075DA18 , 4G075EB01 , 4G075EC21 , 4G075ED13

引用特許：

審査官引用 (4件)

カーボン・ナノ・ファイバの生成装置及び生成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-266621 出願人：神港精機株式会社, 尾浦憲治郎, 大倉重治, 生野孝
カーボンナノチューブの精製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-005873 出願人：日本電気株式会社
特許第3073986号

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