特許
J-GLOBAL ID：200903025781610885

ポジ型レジスト材料

発明者：
八木橋 不二夫

八木橋 不二夫 について

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渡辺 淳

渡辺 淳 について

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高見沢 稔

高見沢 稔 について

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田中 啓順

田中 啓順 について

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河合 義夫

河合 義夫 について

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松田 維人

松田 維人 について


出願人/特許権者：
信越化学工業株式会社

信越化学工業株式会社 について

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日本電信電話株式会社

日本電信電話株式会社 について


代理人 (1件)： 滝田 清暉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-300374
公開番号（公開出願番号）：特開平6-123972
出願日： 1992年10月12日
公開日（公表日）： 1994年05月06日
要約：
【要約】【目的】 従来にない高感度、高解像性及び優れたプロセス適性を有する高エネルギー線用ポジ型レジスト材料を提供すること。【構成】 一部の水酸基の水素原子がt-ブトキシカルボニル基で置換されたポリ(ヒドロキシスチレン)樹脂a、溶解阻害剤b及びオニウム塩cを、夫々重量分率で0.55≦a、0.07≦b≦0.40、0.005≦c≦0.15並びにa+b+c=1となるように含有すると共に、アルカリ水溶液で現像することが可能な、高エネルギー線に感応するポジ型レジスト材料であって、前記溶解阻害剤bが1分子中に1個以上のt-ブトキシカルボニルオキシ基を有すると共に、前記オニウム塩cが一般式(R)n AMで表されるオニウム塩であることを特徴とするポジ型レジスト材料;但し、一般式中、Rは芳香族基又は置換芳香族基であり、各Rは同じであっても異なっても良い。また、Aはスルホニウム又はヨードニウムであり、Mはトシレート基である。
請求項（抜粋）：
一部の水酸基の水素原子がt-ブトキシカルボニル基で置換されたポリ(ヒドロキシスチレン)樹脂a、溶解阻害剤b及びオニウム塩cを、夫々重量分率で0.55≦a、0.07≦b≦0.40、0.005≦c≦0.15並びにa+b+c=1となるように含有すると共に、アルカリ水溶液で現像することが可能な、高エネルギー線に感応するポジ型レジスト材料であって、前記溶解阻害剤bが1分子中に1個以上のt-ブトキシカルボニルオキシ基を有すると共に、前記オニウム塩cが一般式(R)n AMで表されるオニウム塩であることを特徴とするポジ型レジスト材料;但し、一般式中、Rは芳香族基又は置換芳香族基であり、各Rは同じであっても異なっても良い。また、Aはスルホニウム又はヨードニウムであり、Mはトシレート基である。
IPC (6件)：
G03F 7/039 501 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/023 511 ,  G03F 7/029 ,  H01L 21/027
引用特許：
審査官引用 (25件)
  • 特開平4-215662
  • 特開平2-181151
  • 特開平2-181150
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