特許
J-GLOBAL ID：200903025782685587
パルスレーザアニール装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-251984
公開番号（公開出願番号）：特開平5-090191
出願日： 1991年09月30日
公開日（公表日）： 1993年04月09日
要約：
【要約】【目的】 レーザ光出力の変動を低減化し、アニールを均一に行って特性の均一な半導体素子を得ることができるようにする。【構成】 パルスレーザ発振装置1を有するパルスレーザアニール装置において、レーザ光出射口1Aと被照射面4Sとの間に光遮断装置2を有し、且つこの光遮断装置2をレーザ光走査装置3のアニール中断期間に同期して開閉させる構成とする。
請求項（抜粋）：
パルスレーザ発振装置を有するパルスレーザアニール装置において、レーザ光出射口と被照射面との間に光遮断装置を有し、且つ上記光遮断装置がレーザ光走査装置のアニール中断期間に同期して開閉することを特徴とするパルスレーザアニール装置。
引用特許：
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