特許

J-GLOBAL ID：200903025789405407

半導体装置及びその製造方法

発明者： 中村 隆司 ,  澤 清隆 ,  佐々木 基 ,  小林 昭彦 ,  峰 勝利
出願人/特許権者： 東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社
代理人 (1件)： 小川 信一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-138860
公開番号（公開出願番号）：特開平10-335324
出願日： 1997年05月28日
公開日（公表日）： 1998年12月18日
要約：

【要約】【課題】 絶縁層の比誘電率を従来に比べて低減することを可能にした半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板1上に絶縁層2,4,7を介して導電層からなる下層配線3a〜3c及び上層配線6a,6bを設けた半導体装置の製造方法において、無機及び/又は有機樹脂を溶解した溶液を半導体基板1上に塗布し、この樹脂を高エネルギー線の照射により硬化させて絶縁層4を形成すると共に、その硬化開始以降に絶縁層4内でガスを発生せしめて絶縁層4を低密度化することにより、絶縁層4の比誘電率を2.7未満にする。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に絶縁層を介して少なくとも1層の導電層からなる配線構造を設けた半導体装置の製造方法において、無機及び/又は有機樹脂を溶剤中に溶解した溶液を半導体基板上に塗布し、前記樹脂を高エネルギー線の照射により硬化させて絶縁層を形成すると共に、その硬化開始以降に該絶縁層内でガスを発生せしめることにより該絶縁層を低密度化することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/768

FI (4件)：

H01L 21/316 P ,  H01L 21/316 G ,  H01L 21/312 C ,  H01L 21/90 J

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 集積回路上の多重レベル相互接続間の金属間誘電体を平坦化する方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-075647   出願人：財団法人工業技術研究院
• 絶縁材料、層間絶縁膜および層間絶縁膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-130009   出願人：ソニー株式会社