特許

J-GLOBAL ID：200903037473714589

絶縁材料、層間絶縁膜および層間絶縁膜の形成方法

発明者： 塘 洋一 ,  味沢 治彦 ,  佐々木 正義
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-130009
公開番号（公開出願番号）：特開平8-330300
出願日： 1995年05月29日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：

【要約】【目的】 低誘電率であり、また高耐熱性を有する絶縁膜を形成できる絶縁材料と、該絶縁材料からなる層間絶縁膜とこの形成方法とを提供すること。【構成】 本発明の絶縁材料は、SOG膜形成材料中に、加熱または光照射によってガスを発生するガス発生物質が溶解されてなるものであり、本発明の層間絶縁膜は、上記絶縁材料からなるものである。また本発明の層間絶縁膜の形成方法は、半導体素子の製造に際して、基体上に層間絶縁膜を形成する方法であって、図1(a)、(b)に示すように上記絶縁材料2を基体1上に回転塗布した後、基体1上の塗膜3を仮焼成し、次いで図1(c)に示すように塗膜3を加熱しまたは図1(d)に示すように塗膜3に光5を照射し、続いて塗膜3を本焼成することにより図1(e)に示すごとく層間絶縁膜8を形成する。

請求項（抜粋）：

スピンオンガラス膜形成材料中に、加熱または光照射によってガスを発生するガス発生物質が溶解されてなることを特徴とする絶縁材料。

IPC (8件)：

H01L 21/316 ,  B05C 11/08 ,  B05D 1/40 ,  C03C 4/00 ,  H01B 3/24 ,  H01L 21/768 ,  C09D 1/00 PCJ ,  C09D 5/25 PQY

FI (8件)：

H01L 21/316 G ,  B05C 11/08 ,  B05D 1/40 A ,  C03C 4/00 ,  H01B 3/24 A ,  C09D 1/00 PCJ ,  C09D 5/25 PQY ,  H01L 21/90 Q

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭55-001109
  
• 半導体素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-085659   出願人：沖電気工業株式会社
• 特開昭61-239945