特許
J-GLOBAL ID：200903025799912269
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-272875
公開番号（公開出願番号）：特開平11-111637
出願日： 1997年10月06日
公開日（公表日）： 1999年04月23日
要約：
【要約】【課題】 電界効果トランジスタで同一の製造工程でゲート長が短い場合にしきい値電圧が長チャネルのそれよりも高くなる逆短チャネル効果を抑制する。【解決手段】 ゲート電極をマスクとして、両端2方向から、もしくは、回転させつつ、フッ素を斜めイオン注入により導入する。これにより、チャネル中央部近辺のフッ素濃度を短いゲート長に対して自己整合的に高くなるようにさせ、このフッ素がチャネル不純物の偏析を助長する効果を利用して、短チャネルトランジスタでのチャネル不純物の表面濃度の増大を相殺させて、しきい値の増大を抑制する。
請求項（抜粋）：
電界効果トランジスタの製造方法工程であって、フッ素をゲート電極形成後、ゲート電極をマスク形状と見た場合の両端の2方向から斜めにイオン注入により導入する工程を有することを特徴とする半導体装置製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/265 604 V
, H01L 29/78 301 H
