特許

J-GLOBAL ID：200903025801600881

高効率無機ナノロッド強化光起電素子

発明者： ルーカス・ツァカラコス ,  ジ-ウン・リー ,  チャールズ・スティーヴン・コーマン ,  スティーヴン・ルボフ ,  アバシフレク・イーボング ,  ロバート・ウォイナロウスキー ,  アロク・マニ・スリバスタバ, ,  オレグ・スリマ
出願人/特許権者： ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ
代理人 (3件)： 松本 研一 ,  小倉 博 ,  黒川 俊久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-066840
公開番号（公開出願番号）：特開2006-261666
出願日： 2006年03月13日
公開日（公表日）： 2006年09月28日
要約：

【課題】無機構成要素だけで構成されたナノ構造材料を含む光起電素子ならびにその製造方法・使用方法を提供する。【解決手段】 光起電素子は、基板と、その基板上にほぼ垂直な配向で配置された1次元ナノ構造のアレイを含む第1の領域と、第1の領域との接触が少なくとも1つの電荷分離接合を形成するように該第1の領域の上に存在する第2の領域と、第2の領域の上に層として存在する導電性透明材料を含む第3の領域と、該素子を外部回路に接続する働きをする上部及び下部接点とを含み、下部接点が第1の領域と電気接触しかつ上部接点が第2の領域と電気接触している。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

光起電素子であって、 a)基板(103)と、 b)前記基板上にほぼ垂直な配向で配置された1次元ナノ構造のアレイを含む第1の領域(101a)と、 c)前記第1の領域との接触が少なくとも1つの電荷分離接合を形成するように該第1の領域の上に存在する第2の領域(101b)と、 d)前記第2の領域の上に層として存在する導電性透明材料を含む第3の領域(105)と、 e)該素子を外部回路に接続する働きをする上部及び下部接点と、を含み、 前記下部接点が前記第1の領域と電気接触しかつ前記上部接点が前記第2の領域と電気接触しており、 前記第1(101a)、第2(101b)及び第3(105)の領域が、無機構成要素だけで構成される、 光起電素子。

IPC (1件)：

H01L 31/04

FI (1件)：

H01L31/04 H

Fターム (4件)：

5F051AA02 ,  5F051CB12 ,  5F051CB22 ,  5F051FA04

引用特許：

出願人引用 (5件)

• 米国特許公開第2002/0192441号公報
  
• 米国特許公開第2004/0003839号公報
  
• 米国特許第4,496,788号公報
  
• 米国特許公開第2003/0089899号公報
  
• 米国特許公開第2002/0130311号公報
  

審査官引用 (3件)

• 特開平4-296060
  
• シリコン構造体、その製造方法及びその製造装置、並びにシリコン構造体を用いた太陽電池
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-221017   出願人：松下電器産業株式会社
• 特開昭53-031987