特許
J-GLOBAL ID：200903081970453631
シリコン構造体、その製造方法及びその製造装置、並びにシリコン構造体を用いた太陽電池
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-221017
公開番号（公開出願番号）：特開平9-118511
出願日： 1996年08月22日
公開日（公表日）： 1997年05月06日
要約：
【要約】【課題】 太陽電池に有用な太陽光線の反射の少ないシリコン構造体を提供する。【解決手段】 石英基板42の全面に厚さ約1μmのMoを堆積し、下部電極41を形成する。下部電極41の全面に、BCl3 を添加したSi2 Cl6 を用いて、シリコンを主成分とする膜47を介して、不規則な方向を向いた、シリコンを主成分とする複数の円柱状シリコン48の集合からなる厚さは30〜40μmのp型シリコン構造体43を形成する。p型シリコン構造体43の表面に、POCl3 を用いた熱拡散法によってPを拡散させて、円柱状シリコン48の外周部分にn型領域44を形成する。p型シリコン構造体43の全面に、厚さ30〜40μmのインジウム-スズ酸化物からなる透明電極45を形成し、透明電極45の上に厚さ約1μmのAlからなる上部電極46を形成する。
請求項（抜粋）：
不規則な方向を向いた、シリコンを主成分とする複数の円柱状シリコンの集合からなるシリコン構造体。
IPC (7件)：
C01B 33/02
, C30B 29/06
, C30B 29/06 504
, C30B 35/00
, H01L 21/02
, H01L 21/205
, H01L 31/04
C01B 33/02 E
, C30B 29/06 A
, C30B 29/06 504 Z
, C30B 35/00
, H01L 21/02 B
, H01L 21/205
, H01L 31/04 B
出願人引用 (6件)
全件表示
審査官引用 (6件)
全件表示
前のページに戻る
