特許
J-GLOBAL ID：200903025804180557

スパッタリングターゲット、透明導電膜およびそれらの製造法

発明者：
井上 一吉

井上 一吉 について

, 
松崎 滋夫

松崎 滋夫 について


出願人/特許権者：
出光興産株式会社

出光興産株式会社 について


代理人 (3件)： 渡辺 喜平 ,  田中 有子 ,  佐藤 猛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-161207
公開番号（公開出願番号）：特開2008-285760
出願日： 2008年06月20日
公開日（公表日）： 2008年11月27日
要約：
【課題】スパッタリング法による透明導電膜の製膜時のノジュールの発生を抑止して安定性よく製膜することのできるスパッタリングターゲットおよびその製造法を提供する。【解決手段】〔A1〕(a1)酸化インジウム85〜99質量%と、〔B〕酸化ガリウムと〔C〕酸化ゲルマニウムとの合計1〜15質量%からなる金属酸化物の焼結体からなるスパッタリングターゲットであって、該焼結体中の酸化インジウム成分に、ガリウム原子が置換固溶した酸化インジウムおよびゲルマニウム原子が置換固溶した酸化インジウムを含むスパッタリングターゲット。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
〔A1〕(a1)酸化インジウム85〜99質量%と、〔B〕酸化ガリウムと〔C〕酸化ゲルマニウムとの合計1〜15質量%からなる金属酸化物の焼結体からなるスパッタリングターゲットであって、該焼結体中の酸化インジウム成分に、ガリウム原子が置換固溶した酸化インジウムおよびゲルマニウム原子が置換固溶した酸化インジウムを含むスパッタリングターゲット。
IPC (5件)：
C23C 14/34 ,  C23C 14/58 ,  C23C 14/08 ,  C04B 35/00 ,  H01B 5/14
FI (5件)：
C23C14/34 A ,  C23C14/58 A ,  C23C14/08 D ,  C04B35/00 J ,  H01B5/14 A
Fターム (30件)：
4G030AA32 ,  4G030AA34 ,  4G030AA38 ,  4G030AA39 ,  4G030BA02 ,  4G030BA15 ,  4G030CA04 ,  4G030GA03 ,  4G030GA04 ,  4G030GA05 ,  4G030GA08 ,  4G030GA11 ,  4G030GA22 ,  4G030GA25 ,  4G030GA27 ,  4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029BA50 ,  4K029BC09 ,  4K029CA05 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  4K029DC34 ,  4K029DC39 ,  4K029EA08 ,  4K029GA01 ,  5G307FA01 ,  5G307FB01 ,  5G307FC03 ,  5G307FC10
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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