特許
J-GLOBAL ID：200903025805145682
液晶素子及びその製造方法
出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社
松下電器産業株式会社 について
代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-191361
公開番号（公開出願番号）：特開平9-043634
出願日： 1995年07月27日
公開日（公表日）： 1997年02月14日
要約：
【要約】【課題】 フォトリソ法により基板の主面に部分的にスペーサ材を配設して、液晶素子を製造する方法では、かかるスペーサ材の配設に要するプロセスが多くなり、製造コストが上昇してしまう。。【解決手段】 TFTアレイ基板10の主面の全域にスペーサ材8が分散した黒色の硬化樹脂膜を形成し、この樹脂膜を、そのTFTアレイ基板10の主面の画素電極4を覆っている部分が少なくとも除去されるようにパターニングしてBM部60を形成した後、TFTアレイ基板10の主面への透明電極5付き対向基板20の接着と,これら両基板間の間隙への液晶7の配設を行う。
請求項（抜粋）：
その主面のマトリクス状配線によって区画された複数領域の各々に画素部とTFT( thin filim transistor)部が形成されてなるTFTアレイ基板と,その主面に透明電極が形成された透明基板とが、スペーサ材を介して前記互いの主面が対向するように貼り合わされ、前記スペーサ材により空けられた前記両基板間の間隙に液晶が配置され、前記TFTアレイ基板の前記主面にブラックマトリクス部(以下、BM部と称す。)が形成されてなるTFT液晶素子であって、前記スペーサが前記BM部上にのみ配置されていることを特徴とする液晶素子。
IPC (4件)：
FI (4件)：
引用特許：
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