特許

J-GLOBAL ID：200903025822396206

CVD装置を用いたTiN膜の形成方法

発明者： ド・ヒョン・キム
出願人/特許権者： エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-162426
公開番号（公開出願番号）：特開平10-068078
出願日： 1997年06月19日
公開日（公表日）： 1998年03月10日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、TDMATとTDEATの中間程度の性質を有するTMEAT(Ti[N(CH3C2H5)]4)を用いて、多様なCVD法を用いたTiN膜の形成方法を提供する。【解決手段】 CVD装置の反応室内に基板を入れ、ソースとしてTMEAT(Ti[N(CH3C2H5)]4)を用意し、そのソースに気化用ガスを投入して前記ソースを気体状態にし、それを前記チェンバー内に供給し、CVD用ガスを前記チェンバー内に供給して前記基板上にTiN膜を蒸着する。

請求項（抜粋）：

CVD装置の反応室に基板を入れる段階;ソースとしてTMEAT(Ti[N(CH3C2H5)]4)を用意する段階;前記ソースに気化用ガスを投入して前記ソースを気体状態にし、これを前記チェンバー内に供給する段階;CVD用ガスを前記チェンバー内に供給して前記基板上にTiN膜を蒸着する段階;を有することを特徴とするCVD装置を用いたTiN膜の形成方法。

IPC (4件)：

C23C 16/34 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205

FI (4件)：

C23C 16/34 ,  C23C 16/44 C ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/88 M

引用特許：

審査官引用 (1件)

• プラズマCVD方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-139765   出願人：ソニー株式会社