特許
J-GLOBAL ID：200903025838769592

垂直積層型導波路デバイス、及びそのポーリング方法、その駆動方法、並びに導波路モジュール

発明者：
ローシャン タプリヤ

ローシャン タプリヤ について

, 
中村 滋年

中村 滋年 について

, 
菊地 崇

菊地 崇 について


出願人/特許権者：
富士ゼロックス株式会社

富士ゼロックス株式会社 について


代理人 (4件)： 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  西元 勝一 ,  福田 浩志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-055872
公開番号（公開出願番号）：特開2006-243145
出願日： 2005年03月01日
公開日（公表日）： 2006年09月14日
要約：
【課題】 EO効果の効率が高く、駆動電圧を低減することができる垂直積層型導波路デバイス及びそのポーリング方法、駆動方法を提供する。【解決手段】 基板上に、底部電極と、底部クラッド層と、底部コア層と、下部クラッド層と、中間電極と、上部クラッド層と、上部コア層と、最上部クラッド層と、上部電極とがこの順に積層してなり、前記底部クラッド層、前記下部クラッド層、前記上部クラッド層、及び前記最上部クラッド層の屈折率がいずれも前記底部コア層及び前記上部コア層の屈折率以下であり、前記下部クラッド層及び前記上部クラッド層の厚みが、前記底部コア層と前記上部コア層とが接触しないように設定されていることを特徴とする垂直積層型導波路デバイスである。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上に、底部電極と、底部クラッド層と、底部コア層と、下部クラッド層と、中間電極と、上部クラッド層と、上部コア層と、最上部クラッド層と、上部電極とがこの順に積層してなり、 前記底部クラッド層、前記下部クラッド層、前記上部クラッド層、及び前記最上部クラッド層の屈折率がいずれも前記底部コア層及び前記上部コア層の屈折率以下であり、 前記下部クラッド層及び前記上部クラッド層の厚みが、前記底部コア層と前記上部コア層とが接触しないように設定されていることを特徴とする垂直積層型導波路デバイス。
IPC (3件)：
G02F 1/065 ,  G02B 6/12 ,  G02B 6/122
FI (3件)：
G02F1/065 ,  G02B6/12 J ,  G02B6/12 A
Fターム (48件)：
2H079AA02 ,  2H079AA12 ,  2H079DA07 ,  2H079EA04 ,  2H079EB04 ,  2H079HA12 ,  2H079JA00 ,  2H147AB02 ,  2H147AB36 ,  2H147AC01 ,  2H147BA05 ,  2H147BE01 ,  2H147BE13 ,  2H147BE15 ,  2H147BG17 ,  2H147CD11 ,  2H147DA08 ,  2H147DA09 ,  2H147EA10C ,  2H147EA12C ,  2H147EA13C ,  2H147EA14C ,  2H147EA16A ,  2H147EA16B ,  2H147EA16C ,  2H147EA16D ,  2H147EA17B ,  2H147EA17C ,  2H147EA17D ,  2H147EA18B ,  2H147EA19B ,  2H147EA19C ,  2H147EA19D ,  2H147EA20B ,  2H147FA03 ,  2H147FA04 ,  2H147FA05 ,  2H147FA06 ,  2H147FA07 ,  2H147FA08 ,  2H147FA09 ,  2H147FA18 ,  2H147FC05 ,  2H147FD11 ,  2H147FE02 ,  2H147FF01 ,  2H147GA16 ,  2H147GA17
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (6件)
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引用文献：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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