特許
J-GLOBAL ID：200903025861287678
パターン形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-219740
公開番号（公開出願番号）：特開平8-083756
出願日： 1994年09月14日
公開日（公表日）： 1996年03月26日
要約：
【要約】【目的】 高精度で容易にパターンを形成する方法の提供。【構成】 チタン膜16上にEBリソグラフィーによりレジストパターン18aを形成する。次に、このレジストパターン18aを用いて、チタン膜に対してRIEを行って、Tiのマスクパターン16aを形成する。O2 プラズマ灰化処理によりレジストパターンを除去後、このTiのマスクパターン16aをエッチングマスクとして用い、Cl2 とO2 との混合ガスを反応ガスとしてそれぞれ15ccmずつ導入して、Wの被エッチング層14に対してRIEを行ってX線吸収体パターン14aを形成する。
請求項（抜粋）：
被エッチング層上に、チタン(Ti)からなるマスクパターンを形成する工程と、該マスクパターンをエッチングマスクとし、塩素ガス(Cl2 )と酸素ガス(O2 )との混合ガスを反応ガスとして用いて、前記被エッチング層に対して、反応性イオンエッチング(RIE)を行うことにより、パターンを形成する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/027
, C23F 1/12
, H01L 21/3065
H01L 21/30 531 M
, H01L 21/302 F
