特許
J-GLOBAL ID：200903025897411111

半導体装置および発光装置

発明者：
安部 寛子

安部 寛子 について

, 
瀬尾 哲史

瀬尾 哲史 について

, 
山崎 舜平

山崎 舜平 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-290687
公開番号（公開出願番号）：特開2006-156961
出願日： 2005年10月04日
公開日（公表日）： 2006年06月15日
要約：
【課題】短絡等の不良を引き起こしにくい発光装置を作製することのできる半導体装置を提供することを課題とする。【解決手段】本発明の半導体装置の一は、発光素子の電極として機能する電極を含んでいる。電極は、第1の層と第2の層とを含む。また、電極の端部は、開口部が設けられた隔壁層によって覆われている。また、隔壁層の開口部からは電極の一部が露出している。本発明の半導体装置の一は、発光素子の電極として機能する電極と、トランジスタとを含む。電極とトランジスタとは、電気的に接続している。電極は、第1の層と第2の層とを含む。また、電極の端部は、開口部が設けられた隔壁層によって覆われている。また、隔壁層の開口部からは第2の層が露出している。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
トランジスタと、 前記トランジスタと電気的に接続し、第1の層と、第2の層とを含み、発光素子の電極として機能する電極と、 前記電極の端部を覆い、前記第2の層が露出するように開口部が設けられた隔壁層と、 を有し、 前記第1の層は、導電性を有する物質を用いて形成された層であり、 前記第2の層は、金属酸化物と有機化合物とを含む層である ことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 51/50 ,  H05B 33/22 ,  H05B 33/12
FI (4件)：
H05B33/22 C ,  H05B33/22 Z ,  H05B33/12 B ,  H05B33/14 A
Fターム (4件)：
3K007AB08 ,  3K007BA06 ,  3K007CC00 ,  3K007DB03
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (6件)
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