特許
J-GLOBAL ID：200903025900298127
シリコン系薄膜光電変換装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-307093
公開番号（公開出願番号）：特開平11-145499
出願日： 1997年11月10日
公開日（公表日）： 1999年05月28日
要約：
【要約】【課題】 低温プラズマCVD法で形成する結晶質シリコン系薄膜光電変換層の成膜速度を高速化することによって、光電変換装置の生産効率を高めるとともにその性能をも改善する。【解決手段】 シリコン系薄膜光電変換装置の製造方法は、その光電変換装置に含まれる結晶質光電変換層をプラズマCVD法で堆積する条件として:下地温度が550°C以下であり;プラズマ反応室内に導入されるガスの主要成分としてシラン系ガスと水素ガスを含み、かつシラン系ガスに対する水素ガスの流量が50倍以上であり;プラズマ反応室内の圧力が3Torr以上に設定され;そして、成膜速度が厚さ方向で16nm/分以上であることを特徴としている。
請求項（抜粋）：
シリコン系薄膜光電変換装置の製造方法であって、前記光電変換装置は基板上に形成された少なくとも1つの光電変換ユニットを含み、この光電変換ユニットはプラズマCVD法によって順次積層された1導電型半導体層と、結晶質を含むシリコン系薄膜光電変換層と、逆導電型半導体層とを含むものであり、前記光電変換層を前記プラズマCVD法で堆積する条件として、下地温度が550°C以下であり、プラズマ反応室内に導入されるガスの主成分としてシラン系ガスと水素ガスを含み、かつシラン系ガスに対する水素ガスの流量が50倍以上であり、前記プラズマ反応室内の圧力が3Torr以上に設定され、そして、成膜速度は厚さ方向で16nm/分以上であることを特徴とするシリコン系薄膜光電変換装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 31/04
, C23C 16/50
, H01L 21/205
H01L 31/04 A
, C23C 16/50
, H01L 21/205
, H01L 31/04 B
, H01L 31/04 Y
, H01L 31/04 W
