光半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：外川英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-050771
公開番号（公開出願番号）：特開2003-163380
出願日： 2002年02月27日
公開日（公表日）： 2003年06月06日
要約：

【要約】【課題】この発明は熱的衝撃を受けても、不点灯やクラックが発生するのを防止できるようにした光半導体装置を提供することにある。【解決手段】リードフレーム2と、このリードフレームの一部を露出させる空間部を形成した熱可塑性樹脂からなるベース部材3と、上記リードフレームの上記空間部内にマウントされ上記リードフレームと電気的に接続された発光素子5と、熱硬化性樹脂からなり、上記空間部に充填され上記空間部に露出した発光素子、リードフレーム及びベース部材を被覆する被覆材8とを具備する。

請求項（抜粋）：

リードフレームと、このリードフレームの一部を露出させる空間部を形成した熱可塑性樹脂からなるベース部材と、上記リードフレームの上記空間部内にマウントされ上記リードフレームと電気的に接続された発光素子と、熱硬化性樹脂からなり、上記空間部に充填され上記発光素子から出射される光を透過する充填材と、この充填材に対してほぼ同じ線膨張係数かつ弾性率の低い樹脂からなり、上記充填材が上記空間部に充填される前にこの空間部に露出した発光素子、リードフレーム及びベース部材に設けられた被覆材と、を具備することを特徴とする光半導体装置。

Fターム (8件)：

5F041AA41 , 5F041DA06 , 5F041DA12 , 5F041DA44 , 5F041DA46 , 5F041DA58 , 5F041DA74 , 5F041DA75

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開昭63-152184
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-177682 出願人：三菱電機株式会社
発光ダイオード及び製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-353629 出願人：日亜化学工業株式会社

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