分子線を用いたエピタキシャル装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：福森久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-029411
公開番号（公開出願番号）：特開2000-226295
出願日： 1999年02月05日
公開日（公表日）： 2000年08月15日
要約：

【要約】【課題】シャッターを閉にした状態で、より密閉性が高いシャッター構造を有する分子線を用いたエピタキシャル装置を提供する。【解決手段】本発明は、固体原料を入れたるつぼの外周部をヒーターにより加熱する分子線セルを備え、分子線セルと成長に用いる基板との間に配置されたシャッターの開閉により、前記原料の分子線の供給と遮断を行うエピタキシャル装置において、前記分子線セルのるつぼ開口部がシャッターを閉じた状態において、他の分子線セルおよび基板成長位置と空間的に隔離されるような遮蔽板を設置したことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

固体原料を入れたるつぼの外周部をヒーターにより加熱する分子線セルを備え、分子線セルと成長に用いる基板との間に配置されたシャッターの開閉により、前記原料の分子線の供給と遮断を行うエピタキシャル装置において、前記分子線セルのるつぼ開口部がシャッターを閉じた状態において、他の分子線セルおよび基板成長位置と空間的に隔離されるような遮蔽板を設置したことを特徴とする分子線を用いたエピタキシャル装置。

Fターム (4件)：

4G077AA03 , 4G077BE44 , 4G077DA08 , 4G077SC13

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平4-260690
MBE装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-048592 出願人：松下電器産業株式会社
特開平4-260690

前のページに戻る