固体発光デバイス

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：西川惠清 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-139154
公開番号（公開出願番号）：特開2001-319787
出願日： 2000年05月11日
公開日（公表日）： 2001年11月16日
要約：

【要約】【課題】クロストークが少なく且つ画素の開口率の低下を防止できる新規な固体発光デバイスを提供する。【解決手段】基板1の一表面上に、複数の裏面電極4が列設され、複数の裏面電極4を覆うように強電界ドリフト層6が形成され、強電界ドリフト層6上に発光層2が積層され、発光層2上に複数の透明電極3が裏面電極4に交差する方向に列設されている。強電界ドリフト層6は、透明電極3と裏面電極4との間に透明電極3を正極として電圧を印加したときに裏面電極4から注入された電子がドリフトして発光層2を発光させるための電子を発光層2へ供給する機能を有するも。強電界ドリフト層6は、裏面電極4にほぼ重なる領域が酸化した多孔質多結晶シリコン層からなる多孔質半導体層6aにより構成され、それ以外の領域が多結晶シリコン層からなる半導体層6bにより構成されている。

請求項（抜粋）：

発光層と、発光層の前面上に列設された複数の透明電極と、発光層の裏面側において透明電極に交差する方向に列設された複数の裏面電極と、少なくとも透明電極と裏面電極との交差する領域で発光層の裏面上に積層され透明電極と裏面電極との間に透明電極を正極として電圧を印加したときに裏面電極から注入された電子がドリフトして発光層を発光させるための電子を発光層へ供給する強電界ドリフト層とを備え、前記強電界ドリフト層は、半導体層からなり、少なくとも透明電極と裏面電極とが交差する領域であって厚み方向において発光層側の部分が多孔質半導体層からなることを特徴とする固体発光デバイス。

IPC (5件)：

H05B 33/22 , G09F 9/30 365 , H01L 33/00 , H05B 33/14 , H05B 33/26

FI (6件)：

H05B 33/22 A , H05B 33/22 Z , G09F 9/30 365 Z , H01L 33/00 A , H05B 33/14 A , H05B 33/26 Z

Fターム (15件)：

3K007AB02 , 3K007AB03 , 3K007BA06 , 3K007CA03 , 3K007DA01 , 3K007DB02 , 3K007EB05 , 3K007EC02 , 5C094AA09 , 5C094AA10 , 5C094BA27 , 5C094CA19 , 5C094EA05 , 5C094EA07 , 5F041CA33

引用特許：

審査官引用 (2件)

電界発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-222148 出願人：株式会社リコー
電界発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-103242 出願人：カシオ計算機株式会社

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