特許
J-GLOBAL ID：200903025966861841

フォトマスクの使用方法

発明者：
山口 寿男

山口 寿男 について

, 
辰巳 龍司

辰巳 龍司 について

, 
鈴木 剛

鈴木 剛 について


出願人/特許権者：
株式会社エイチ・ティー・エル

株式会社エイチ・ティー・エル について


代理人 (1件)： 山田 勉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-111245
公開番号（公開出願番号）：特開2006-294753
出願日： 2005年04月07日
公開日（公表日）： 2006年10月26日
要約：
【課題】荷電粒子のフォトマスク表面への付着を防止し、コントラストが高いパターン転写とパターン欠陥のないパターン転写が可能な、フォトマスクの使用方法を提供する。 【解決手段】石英基板21上に遮光材料からなるマスクパターン22を有し、該マスクパターン側のフォトマスク表面が十分な透過光量を確保できる膜厚の導電膜23によって被覆され、前記フォトマスク表面の電位に勾配が生じないように構成されたフォトマスク20において、前記導電膜の電位を電位制御回路24により外部から制御する。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
フォトマスク基板上に遮光材料からなるマスクパターンを有し、該マスクパターン側のフォトマスク表面が十分な透過光量を確保できる膜厚の導電膜によって被覆され、前記フォトマスク表面の電位に勾配が生じないように構成されたフォトマスクにおいて、 前記導電膜の電位を外部から制御することを特徴とするフォトマスクの使用方法。
IPC (3件)：
H01L 21/027 ,  G03F 1/14 ,  G03F 7/20
FI (3件)：
H01L21/30 515F ,  G03F1/14 G ,  G03F7/20 521
Fターム (5件)：
2H095BA02 ,  2H095BC16 ,  5F046BA03 ,  5F046CB17 ,  5F046DA06
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • フォトマスク
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-220420   出願人：ユー・エム・シー・ジャパン株式会社
審査官引用 (4件)
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