特許
J-GLOBAL ID：200903025973840388
配線基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
綿貫 隆夫
, 堀米 和春
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-127142
公開番号（公開出願番号）：特開2008-193132
出願日： 2008年05月14日
公開日（公表日）： 2008年08月21日
要約：
【課題】基板の低熱膨張化を図ること、あるいは基板の高剛性化を図ることによって、半導体チップとの間での熱応力を抑制しあるいは熱応力に耐えることができる配線基板の製造方法を提供する。【解決手段】本発明に係る配線基板の製造方法は、コア基板の両面にビルドアップ層を形成してなる配線基板の製造方法において、前記ビルドアップ層を形成する際に、銅よりも小さな熱膨張係数を有する金属箔を、ビルドアップ層に形成される配線パターンと干渉しない配置でビルドアップ層に組み込むことを要件とする。【選択図】図11
請求項（抜粋）：
コア基板の両面にビルドアップ層を形成してなる配線基板の製造方法において、
前記ビルドアップ層を形成する際に、銅よりも小さな熱膨張係数を有する金属箔を、ビルドアップ層に形成される配線パターンと干渉しない配置でビルドアップ層に組み込むことを特徴とする配線基板の製造方法。
IPC (1件)：
FI (3件)：
H05K3/46 G
, H05K3/46 X
, H05K3/46 S
5E346AA25
, 5E346AA43
, 5E346BB11
, 5E346CC05
, 5E346CC08
, 5E346CC32
, 5E346EE09
, 5E346EE13
, 5E346FF04
, 5E346GG26
, 5E346GG28
, 5E346HH11
, 5E346HH40
