特許

J-GLOBAL ID：200903025974583060

半導体ウェーハ、半導体装置の製造装置、半導体装置の製造方法、及び半導体ウェーハの製造方法

発明者： 岩瀬 政雄 ,  新田 伸一 ,  宮下 守也 ,  菅元 淳二 ,  山田 浩玲 ,  永野 元 ,  丹沢 勝二郎 ,  有働 祐宗 ,  灘原 壮一 ,  土屋 憲彦 ,  松下 宏 ,  牛久 幸広 ,  有門 経敏 ,  奥村 勝弥
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-345984
公開番号（公開出願番号）：特開2002-353080
出願日： 2001年11月12日
公開日（公表日）： 2002年12月06日
要約：

【要約】【課題】 各製造工程において最適なプロセス条件を各ウェーハごとに高速に採用することができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 ウェーハの外周部にベベル部を形成し、ウェーハ上に製造物を形成し、IDマークをウェーハ毎にベベル部に付し、IDマークを読み取り、IDマークに示された情報に基づいてウェーハ上に新たな製造物を形成する。IDマークは、ウェーハ自体或いはウェーハ上に形成された製造物に関する情報を示す。IDマークを読み取ることで、ウェーハに形成された製造物のロット番号もしくは製造順番、製造物の機能、及び製造工程の検査結果などを認識することができる。IDマークは、各製造物の製造工程時にその都度、必要な回数だけ付され、その後の製造工程における製造条件を設定する際に参照される。

請求項（抜粋）：

ウェーハと、前記ウェーハの外周部に形成されたベベル部と、前記ウェーハ上に形成された製造物と、前記ベベル部に付され、前記製造物、当該製造物の製造条件、及び当該製造物についての検査結果を少なくとも示すIDマークとを具備することを特徴とする半導体ウェーハ。

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体ウェハ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-019737   出願人：株式会社小松製作所, コマツ電子金属株式会社

審査官引用 (1件)

• 半導体ウェハ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-019737   出願人：株式会社小松製作所, コマツ電子金属株式会社