半導体ウェハ

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：野口武男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-019737
公開番号（公開出願番号）：特開2000-223380
出願日： 1999年01月28日
公開日（公表日）： 2000年08月11日
要約：

【要約】【課題】半導体ウェハの最も消失しにくく且つウェハカセットに収納した状態で書き込み及び読み取りの可能なマーキング領域を選定して、同領域に識別番号や電気的特性などの情報を刻印し、以降の処理工程や半導体製造工程においてウェハ単位で過去の履歴を把握できるようにしたレーザビーム照射によるドットマークを有する半導体ウェハを提供する。【解決手段】半導体ウェハ(W) にあって、その外周面に形成されたノッチ(1)の内壁面、特にその周縁傾斜面に径が1〜13μmのレーザ照射による微小ドットマークを形成している。

請求項（抜粋）：