特許

J-GLOBAL ID：200903025986918386

スイッチング素子

発明者： 内藤 泰久 ,  堀川 昌代 ,  阿部 秀和 ,  清水 哲夫 ,  水谷 亘 ,  古田 成生 ,  小野 雅敏 ,  高橋 剛
出願人/特許権者： 株式会社船井電機新応用技術研究所
代理人 (2件)： 布施 行夫 ,  大渕 美千栄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-189380
公開番号（公開出願番号）：特開2007-123828
出願日： 2006年07月10日
公開日（公表日）： 2007年05月17日
要約：

【課題】構造が極めて単純で、かつ、安定した繰り返しスイッチング動作が可能な、不揮発性スイッチング素子を提供すること。【解決手段】本発明のスイッチング素子100は、絶縁性基板10と、絶縁性基板10の上に設けられた、第1電極20と、絶縁性基板10の上に設けられた、第2電極30と、第1電極20と第2電極30の間に設けられ、第1電極20と第2電極30との間の距離Gが、0nm<G≦50nmである電極間間隙40と、を含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

絶縁性基板と、 前記絶縁性基板の上に設けられた、第1電極と、 前記絶縁性基板の上に設けられた、第2電極と、 前記第1電極と前記第2電極との間に設けられ、前記第1電極と前記第2電極との間の距離Gが、0nm<G≦50nmである電極間間隙と、 を含む、スイッチング素子。

IPC (6件)：

H01L 21/28 ,  B82B 1/00 ,  H01L 21/285 ,  H01L 29/41 ,  H01L 29/06 ,  H01L 27/10

FI (6件)：

H01L21/28 301R ,  B82B1/00 ,  H01L21/285 P ,  H01L29/44 S ,  H01L29/06 601N ,  H01L27/10 451

Fターム (27件)：

4M104AA01 ,  4M104AA09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB36 ,  4M104DD34 ,  4M104DD68 ,  4M104DD77 ,  4M104FF06 ,  4M104FF13 ,  4M104FF40 ,  4M104GG01 ,  4M104HH20 ,  5F083FZ10 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083ZA23

引用特許：

出願人引用 (1件)

• ナノギャップ電極の製造方法及び該方法により製造されたナノギャップ電極を有する素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-307669   出願人：独立行政法人産業技術総合研究所

審査官引用 (4件)

• ナノギャップ電極の形成方法及びこれによって得られたナノギャップ電極並びに該電極を備えた素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-315502   出願人：独立行政法人産業技術総合研究所
• ナノギャップ電極の製造方法及び該方法により製造されたナノギャップ電極を有する素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-307669   出願人：独立行政法人産業技術総合研究所
• ナノギャップ電極の製造方法及び該方法により製造されたナノギャップ電極を用いた素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-412356   出願人：独立行政法人産業技術総合研究所
• 電極架橋型分子素子の電極製造方法及び該方法により製造された電極構造を有する電極架橋型分子素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-045863   出願人：独立行政法人産業技術総合研究所