特許
J-GLOBAL ID：200903041185801156
ナノギャップ電極の製造方法及び該方法により製造されたナノギャップ電極を用いた素子
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-412356
公開番号（公開出願番号）：特開2005-175164
出願日： 2003年12月10日
公開日（公表日）： 2005年06月30日
要約：
【課題】光露光や電子ビーム露光などのウェットプロセスを用いることなく、ミクロンオーダー程度のパターンニング精度の技術を用いて、100nm以下、特に50nm以下のギャップ幅のナノギャップ電極を提供する。【解決手段】 (A)基板上に、ナノレベルで平坦な壁面エッジを持つプレートをあてがうプレート適用工程と、 (B)プレートを第一のマスクとして、基板面に対して導電性材料を斜め蒸着し、電極エッジ角度θ1(0°<θ1<90°)となるように第一番目の電極層を設ける第一の蒸着工程と、 (C)第一のマスク取り外し工程と、 (D)スリットを持つメタルマスクを第二のマスクとして、基板上に形成された第一番目の電極に対して該スリットが直角となる方向にあてがうメタルマスク適用工程と、 (E)基板面に対してθ2(0°<θ2<θ1<90°)の角度で導電性材料を斜め蒸着し、ナノメートルスケール・オーダーのギャップが形成されるように第二番目の電極層を設ける第二の蒸着工程と、 (F)第二のマスク取り外し工程とからなることを特徴とするナノギャップ電極の製造方法。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
(A)基板上に、ナノレベルで平坦な壁面エッジを持つプレートをあてがうプレート適用工程と、
(B)プレートを第一のマスクとして、基板面に対して導電性材料を斜め蒸着し、電極エッジ角度θ1(0°<θ1<90°)となるように第一番目の電極層を設ける第一の蒸着工程と、
(C)第一のマスク取り外し工程と、
(D)スリットを持つメタルマスクを第二のマスクとして、基板上に形成された第一番目の電極に対して該スリットが直角となる方向にあてがうメタルマスク適用工程と、
(E)基板面に対してθ2(0°<θ2<θ1<90°)の角度で導電性材料を斜め蒸着し、ナノメートルスケール・オーダーのギャップが形成されるように第二番目の電極層を設ける第二の蒸着工程と、
(F)第二のマスク取り外し工程と
からなることを特徴とするナノギャップ電極の製造方法。
IPC (3件)：
H01L21/28
, H01L29/06
, H01L51/00
H01L21/28 301B
, H01L29/06 601N
, H01L29/28
4M104AA10
, 4M104BB13
, 4M104DD34
, 4M104FF03
, 4M104FF13
, 4M104GG01
, 4M104HH14
