特許
J-GLOBAL ID：200903026008170791
薄膜半導体素子およびその製法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-051175
公開番号（公開出願番号）：特開平7-235491
出願日： 1994年02月24日
公開日（公表日）： 1995年09月05日
要約：
【要約】【目的】 液晶ディスプレイ装置などに用いられる薄膜半導体素子を構成するポリシリコン膜に高い電界効果移動度(μFE)を付与する。【構成】 アモルファスシリコン膜を加熱して結晶化させてポリシリコン膜2とする際に、加熱エネルギーを調節し、表面2aに凹凸形状を有するようにする。表面の凹凸の傾斜角(θ)を9.6度を中心とし、4.8〜30度の範囲にすれば、50〜150cm2 /V・secあるいはこれ以上の高いμFEが得られる。
請求項（抜粋）：
絶縁基材上に形成されたアモルファスシリコン膜を加熱して結晶化した多結晶シリコン膜からなり、この多結晶シリコン膜の表面が凹凸を有する薄膜半導体素子。
IPC (4件)：
H01L 21/20
, H01L 21/268
, H01L 29/786
, H01L 21/336
