電荷ポンプ

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：富村潔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-186641
公開番号（公開出願番号）：特開平7-057462
出願日： 1994年07月15日
公開日（公表日）： 1995年03月03日
要約：

【要約】【目的】すべての作動状態で確実に動作する高められた電圧を発生するための電荷ポンプを提供する。【構成】電荷ポンプは2つのプッシュプル動作するポンプ半部1、2を含んでいる。各半部はシフトキャパシタンス11、19と、シフトキャパシタンスと蓄積キャパシタンス5との間に接続されているPMOSトランジスタ10、17とを含んでいる。シフトキャパシタンスはNMOSトランジスタ12、18を介して完全な供給電圧VDDに充電される。その際にゲート制御電圧は供給電圧VDDより上にあり、またPMOSトランジスタはそのゲート端子に負帰還される出力レベルAにより確実に阻止されている。PMOSトランジスタはシフト過程の間に完全な出力電圧A、VSSにより導通状態に制御されるので、確実なポンプ動作が供給電圧VDDの変動の際にも可能である。

請求項（抜粋）：

電荷ポンプにおいて、(a)蓄積キャパシタンス(5)が第1の供給電位(VSS)に対する一方の端子と、出力電圧(A)を取り出すための他方の端子(6)とを有し、(b)ゲート端子で第1の信号(B1)により制御されるpチャネルMOSトランジスタ(10)のドレイン-ソース区間の一方の端子が蓄積キャパシタンス(5)の他方の端子(6)と接続されており、(c)シフトキャパシタンス(11)の一方の端子がpチャネルMOSトランジスタ(10)のドレイン-ソース区間の他方の端子と接続されており、またシフトキャパシタンス(11)の他方の端子が第2の信号(D1)により制御され、(d)nチャネルMOSトランジスタ(12)のドレイン-ソース区間が第2の供給電位(VDD)とシフトキャパシタンス(11)の一方の端子との間に接続されており、またnチャネルMOSトランジスタ(12)のゲート端子が第3の信号(C1)により制御され、(e)発振器(3)の出力を供給されるパルス整形装置(4)により信号(B1、C1、D1)が発生され、pチャネルMOSトランジスタ(10)は第2の信号(D1)が高いレベルを有するときにのみ導通し、またnチャネルMOSトランジスタ(12)は第2の信号(D1)が低いレベルを有するときにのみ導通するようにされることを特徴とする電荷ポンプ。

引用特許：

出願人引用 (3件)

チヤージポンプ回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-220539 出願人：富士通株式会社
特開平4-062868
半導体素子の高電圧発生回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-205798 出願人：ヒュンダイエレクトロニクスインダストリーズカムパニーリミテッド

審査官引用 (3件)

チヤージポンプ回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-220539 出願人：富士通株式会社
特開平4-062868
特開昭56-081963

前のページに戻る