特許
J-GLOBAL ID：200903026017253756
SOI基板にキャビティ構造を形成する方法およびSOI基板に形成されたキャビティ構造
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (12件)：
岡部 正夫
, 加藤 伸晃
, 産形 和央
, 臼井 伸一
, 藤野 育男
, 越智 隆夫
, 本宮 照久
, 高梨 憲通
, 朝日 伸光
, 高橋 誠一郎
, 吉澤 弘司
, 松井 孝夫
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-533331
公開番号（公開出願番号）：特表2005-504644
出願日： 2002年09月27日
公開日（公表日）： 2005年02月17日
要約：
本発明は、第1のシリコン層(1)と、第1のシリコン層(1)と実質的に平行である第2の単結晶シリコン層、またはいわゆる構造層(3)と、第1の層(1)と第2の層(3)との間に配置された絶縁層(2)とを備える、予め製造されたシリコン・ウエハにキャビティを形成する方法を開示している。本発明の方法によれば、少なくとも導電層(1、3)の中に前記層の厚みを介して延在する窓(4)が作成され、作成された窓(4)を介して前記層まで通過するエッチング液を用いて、絶縁層(2)の中にキャビティがエッチングされる。本発明によれば、窓(4)の作成工程の後で、エッチング工程の前に、エッチング液が薄い多孔性の層(5)を介してエッチングされるキャビティ(6)に届くように、処理される面に薄い多孔性の層(5)が形成され、キャビティ(6)が予めエッチングされた後に、多孔性の層の材料をガスに対して不浸透性にするために少なくとも1つの補助層(7)が堆積される。
請求項（抜粋）：
第1のシリコン層(1)と、第2の単結晶シリコン層、またはいわゆる構造層(3)とから成る予め製造されたシリコン・ウエハにキャビティを形成する方法であって、
絶縁層(2)が前記第1のシリコン層(1)と実質的に平行で、前記第1の層(1)と前記第2の層(2)との間に配置され、該方法が、
前記第2の層(1、3)の1つの中に前記層の厚みを介して延在する窓(4)を作成する工程と、
前記作成された窓(4)を介して前記層まで通過するエッチング液を用いて、前記絶縁層(2)の中にキャビティをエッチングする工程とを含む方法において、
前記窓(4)の作成工程の後で、前記エッチング工程の前に、薄い多孔性の層(5)をエッチングされている前記孔(6)に形成することと、
前記キャビティ(6)が予めエッチングされた後に、前記多孔性の層の材料をガスに対して不浸透性にするために少なくとも1つの補助層(7)が堆積されたこととを特徴とするシリコン・ウエハにキャビティを形成することを特徴とする方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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