特許

J-GLOBAL ID：200903096735937424

集積圧電抵抗圧力センサ及びその製造方法

発明者： ベネデット ビグナ ,  パオロ フェラーリ ,  フラビオ ビーラ
出願人/特許権者： エスジーエス-トムソン マイクロエレクトロニクスソチエタ レスポンサビリタ リミテ
代理人 (1件)： 石田 敬 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-206334
公開番号（公開出願番号）：特開平10-135487
出願日： 1997年07月31日
公開日（公表日）： 1998年05月22日
要約：

【要約】【課題】 処理の大幅単純化と、内在するパッケージングの問題の多くを除去する集積圧電抵抗圧力センサおよびその製造方法を提供する。【解決手段】 SOI基板内に、絶縁層を化学的エッチングにより部分的に除去されてダイアフラムを形成する犠牲層として用いて圧力センサを集積する。圧電抵抗素子(10)と電子コンポーネント(4、6〜8)を同一チップ内に集積形成した後に、トレンチ(26)が基板の上側ウエハ(23)内に形成されて基板から絶縁層(22)に延びる。絶縁層(22)はトレンチを介して化学エッチングされ、ダイアフラム(27)の下に開口(31)を形成する。誘電体層(25)がデポジットされてトレンチ(26)と開口(31)を外側に閉じる。

請求項（抜粋）：

半導体材料の本体(20)内に形成されたダイアフラム(27,27a,27b)と、前記ダイアフラム内に形成された多数の圧電抵抗素子(10)とを備える集積圧電抵抗圧力センサにおいて、前記半導体の本体はSOI基板(20)であることを特徴とする集積圧電抵抗圧力センサ。

IPC (2件)：

H01L 29/84 ,  G01L 9/06

FI (2件)：

H01L 29/84 B ,  G01L 9/06

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 一体型圧力変換器の製造方法および装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-336039   出願人：コミツサリアタレネルジーアトミーク
• 特表平7-504509
  
• 特開昭62-076783
  
• センサ用パッケージ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-179073   出願人：株式会社フジクラ