特許
J-GLOBAL ID：200903026025451060
ハイドレート生成装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
中島 淳
, 加藤 和詳
, 西元 勝一
, 福田 浩志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-302040
公開番号（公開出願番号）：特開2006-111771
出願日： 2004年10月15日
公開日（公表日）： 2006年04月27日
要約：
【課題】 反応タンク内に水を噴射すると共に、天然ガスを導入するハイドレート生成装置において、反応タンクの内壁に水滴が付着してハイドレートが生成、成長するのを防止する。【解決手段】 反応タンク12の上部にノズル14が配設されており、水循環ライン18から冷却された水がノズル14に供給され、反応タンク12内に水が噴射される。反応タンク12の導入パイプ32には、天然ガス供給ライン22から冷却された天然ガスが供給される。反応タンク12の側壁部12Bの内壁には、フッ素系樹脂からなる被覆層42が形成されている。被覆層42は、低熱伝導率で撥水性があるので、ノズル14から水が噴射されたときに被覆層42に水滴が付着しにくい。また、反応タンク12の底部12Aに貯留された低温の水によって被覆層42の水滴が冷却されにくいため、側壁部12Bでハイドレートが生成、成長するのを防止できる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
反応タンク内に冷却した水を噴射するノズルと、
前記反応タンク内に冷却したハイドレート原料ガスを導入する導入管と、を有し、
前記反応タンクの内壁の少なくとも側壁部に、前記内壁の材料より低熱伝導率で撥水性のある被覆層が形成されていることを特徴とするハイドレート生成装置。
IPC (4件)：
C10L 3/06
, C07B 63/02
, C07C 5/00
, C07C 7/20
C10L3/00 A
, C07B63/02 B
, C07C5/00
, C07C7/20
4H006AA04
, 4H006AC93
, 4H006BD81
, 4H006BD83
