特許

J-GLOBAL ID：200903026035137895

電界効果トランジスタ、及び、同電界効果トランジスタの製造方法、及び、半導体装置、及び、同半導体装置の製造方法

発明者： 久保 博之
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 松尾 憲一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-015087
公開番号（公開出願番号）：特開2007-200984
出願日： 2006年01月24日
公開日（公表日）： 2007年08月09日
要約：

【課題】オン抵抗の増大を防止しつつ、ゲート-ドレイン間の寄生容量を低減することができる電界効果トランジスタ、及び、同電界効果トランジスタを備えた半導体装置、及び、これらを製造する方法を提供する。【解決手段】基板上に設けた半導体層上に、ゲート電極とソース電極とドレイン電極とを備えた電界効果トランジスタを有する半導体装置の製造方法において、前記電界効果トランジスタを形成する際に、ゲート電極とドレイン電極との間における半導体層上に金属電極を形成することにより、金属電極と半導体層の界面にショットキー接合を形成することとした。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に設けた半導体層上に、ゲート電極とソース電極とドレイン電極とを備えた電界効果トランジスタにおいて、 前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間における前記半導体層上に金属電極を設け、前記金属電極と前記半導体層との界面にショットキー接合を形成したことを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (6件)：

H01L 29/80 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/417

FI (5件)：

H01L29/80 W ,  H01L29/80 H ,  H01L21/28 301B ,  H01L21/28 301R ,  H01L29/50 J

Fターム (35件)：

4M104AA05 ,  4M104BB11 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD08 ,  4M104DD09 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD65 ,  4M104DD83 ,  4M104DD96 ,  4M104FF07 ,  4M104FF13 ,  4M104FF28 ,  4M104GG11 ,  4M104GG12 ,  5F102FA00 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GC05 ,  5F102GD01 ,  5F102GD04 ,  5F102GJ05 ,  5F102GL04 ,  5F102GM06 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR12 ,  5F102GS02 ,  5F102GS04 ,  5F102GT03 ,  5F102GV06 ,  5F102GV07 ,  5F102GV08 ,  5F102HC24

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-246621   出願人：ソニー株式会社