特許

J-GLOBAL ID：200903026037356721

太陽電池

発明者： 北谷 健 ,  矢澤 義昭 ,  田村 克 ,  峯邑 純子 ,  蕨迫 光紀
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 高橋 明夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-020833
公開番号（公開出願番号）：特開平7-231108
出願日： 1994年02月18日
公開日（公表日）： 1995年08月29日
要約：

【要約】【目的】広い波長範囲の入射光を電流出力として高効率で変換可能な太陽電池の提供にある。【構成】半導体p型領域とn型領域に挾まれた領域に低不純物濃度領域を有し、該低不純物濃度領域を形成する半導体材料の全部または一部に上記p型およびn型領域を形成する半導体材料よりも狭い禁制帯幅を有する半導体を用いた太陽電池であって、前記低不純物濃度領域を複数の半導体材料からなる積層構造とし、隣合う層間の伝導帯および価電子帯におけるエネルギー障壁の大きさが室温での熱エネルギーkT(k:ボルツマン定数、T:絶対温度)の4倍以下であることを特徴とする太陽電池。

請求項（抜粋）：

半導体p型領域とn型領域に挾まれた領域に低不純物濃度領域を有し、該低不純物濃度領域を形成する半導体材料の全部または一部に上記p型およびn型領域を形成する半導体材料よりも狭い禁制帯幅を有する半導体を用いた太陽電池であって、前記低不純物濃度領域を複数の半導体材料からなる積層構造とし、隣合う層間の伝導帯および価電子帯におけるエネルギー障壁の大きさが室温での熱エネルギーkT(k:ボルツマン定数、T:絶対温度)の4倍以下であることを特徴とする太陽電池。

IPC (2件)：

H01L 31/04 ,  H01L 29/06

FI (2件)：

H01L 31/04 E ,  H01L 31/04 L

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 太陽電池
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-017411   出願人：松下電器産業株式会社
• 非晶質太陽電池およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-347448   出願人：シャープ株式会社