特許

J-GLOBAL ID：200903026044767761

エピタキシャル層付きシリコンウェーハ及びその製造方法。

発明者： 池澤 一浩
出願人/特許権者： 三菱マテリアルシリコン株式会社 ,  三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-084641
公開番号（公開出願番号）：特開2000-272998
出願日： 1999年03月26日
公開日（公表日）： 2000年10月03日
要約：

【要約】【課題】 極薄いエピタキシャル層の形成でOSFフリーかつCOPフリーを達成するシリコンウェーハを製造する。【解決手段】 引上げ速度をV(mm/分)とし、シリコン融点から1300°Cまでの温度範囲でそれぞれインゴットの中心における軸方向の温度勾配をGa(°C/mm)とし、インゴットの周縁における軸方向の温度勾配をGb(°C/mm)とするとき、V/Ga及びV/Gbがそれぞれ0.23〜0.30mm2/分・°Cになるようにインゴットを引上げる。インゴットをスライスして得られたウェーハの表面に厚さ0.2μm以上のシリコン単結晶のエピタキシャル層を形成する。

請求項（抜粋）：

酸素雰囲気下、1000°C±30°Cの温度範囲で2〜5時間熱処理し、引続き1130°C±30°Cの温度範囲で1〜16時間熱処理をした際に酸化誘起積層欠陥が発生しないシリコンウェーハであって、前記ウェーハの表面に厚さ0.2μm以上のシリコン単結晶のエピタキシャル層を有し、前記エピタキシャル層表面全体における結晶に起因したパーティクルの数が0個であるエピタキシャル層付きシリコンウェーハ。

Fターム (11件)：

4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077BA04 ,  4G077CF00 ,  4G077EA01 ,  4G077EH07 ,  4G077EH09 ,  4G077FG11 ,  4G077FJ06 ,  4G077GA06 ,  4G077HA12

引用特許：

審査官引用 (1件)

• エピタキシャルシリコンウエーハおよびその製造方法並びにエピタキシャルシリコンウエーハ用基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-023765   出願人：信越半導体株式会社