特許
J-GLOBAL ID：200903063984519106
エピタキシャルシリコンウエーハおよびその製造方法並びにエピタキシャルシリコンウエーハ用基板
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-023765
公開番号（公開出願番号）：特開2000-219598
出願日： 1999年02月01日
公開日（公表日）： 2000年08月08日
要約：
【要約】【課題】 面内全面にI領域を含まないウエーハを単結晶から形成し、これにエピタキシャル層を積んで、エピ層表面に突起あるいはパーティクルとして観察される突起状の表面の歪みが存在しない高品質エピタキシャルウエーハを提供すると共に単結晶径方向の面内全面にI領域を含まない単結晶を歩留りよく高生産性で製造し、エピウエーハの生産性向上とコストダウンを図る。【解決手段】 エピタキシャル層上に、大きさ100nm以上、高さ5nm以上の突起が存在しないエピタキシャルシリコンウエーハおよびCZ法によってシリコン単結晶を育成する際に、I領域を含まない単結晶棒を育成し、該単結晶棒から切り出した面内全面にI領域を含まないシリコンウエーハ上にエピタキシャル層を積むエピタキシャルシリコンウエーハの製造方法。
請求項（抜粋）：
エピタキシャル層上に、大きさ100nm以上、高さ5nm以上の突起が存在しないことを特徴とするエピタキシャルシリコンウエーハ。
IPC (3件)：
C30B 29/06 502
, C30B 29/06
, C30B 15/20
C30B 29/06 502 J
, C30B 29/06 A
, C30B 15/20
4G077AA02
, 4G077AB01
, 4G077AB06
, 4G077BA04
, 4G077CF10
, 4G077EH06
, 4G077EH09
, 4G077EJ02
, 4G077PF55
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (10件)
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