特許
J-GLOBAL ID：200903026048394943
マグネトロンスパッタリング装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中西 次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-396461
公開番号（公開出願番号）：特開2002-194542
出願日： 2000年12月27日
公開日（公表日）： 2002年07月10日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、基板自公転方式の優れた特徴を生かし、薄膜均一性及び高い生産性を維持しつつ、効果的に電子の基板への流入を防止して低温成膜を可能とするマグネトロンスパッタリング装置を提供することを目的とする。【解決手段】 ターゲットを取り付けたマグネトロンカソードと、該ターゲットに対向して自公転可能に配置された複数の基板ホルダとを有し、前記基板ホルダ上に載置される基板を自公転させながら薄膜を形成するスパッタリング装置において、前記ターゲット中心軸と同軸に公転軸を設けて該公転軸の周りに前記複数の基板ホルダを配置するとともに、該公転軸の先端部に導電性部材を取り付け、該導電性部材を接地又は正の電位を印加する構成としたことを特徴とする。前記導電性部材に磁性体を用いることにより、更に低温での成膜が可能なる。
請求項（抜粋）：
ターゲットを取り付けたマグネトロンカソードと、該ターゲットに対向して自公転可能に配置された複数の基板ホルダとを有し、前記基板ホルダ上に載置される基板を自公転させながら薄膜を形成するマグネトロンスパッタリング装置において、前記ターゲット中心軸と同軸に公転軸を設けて該公転軸の周りに前記複数の基板ホルダを配置するとともに、該公転軸の先端部に導電性部材を取り付け、該導電性部材を接地又は正の電位を印加する構成としたことを特徴とするマグネトロンスパッタリング装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C23C 14/35 Z
, H01L 21/203 S
4K029BA23
, 4K029CA05
, 4K029DC28
, 4K029DC45
, 4K029JA03
, 5F103AA08
, 5F103BB14
, 5F103BB33
, 5F103BB34
, 5F103BB38
, 5F103DD28
, 5F103HH04
, 5F103LL20
, 5F103RR10
出願人引用 (3件)
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イオンスパッタ装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平6-087960
出願人：株式会社真空デバイス
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特開昭63-065069
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特開昭58-147560
審査官引用 (3件)
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イオンスパッタ装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平6-087960
出願人：株式会社真空デバイス
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特開昭63-065069
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特開昭58-147560
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