特許
J-GLOBAL ID：200903026051825700
光半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-050219
公開番号（公開出願番号）：特開平8-316589
出願日： 1996年03月07日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：
【要約】【課題】本発明は、断線のない状態で電極形成をすることができ、しかも高精度の狭メサ形状を有する高速変調に対応できる光半導体装置およびメサ幅の制御が容易であり、電極形成を容易に行なうことができる光半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】少なくとも光導波層が形成されたメサストライプを有し、(100)結晶面を主面とする半導体基板と、前記メサストライプの両側面に形成された半導体埋め込み層と、メサストライプ領域および前記半導体埋め込み層上に形成され、(111)結晶面を側面とする断面略台形状であるストライプ状のクラッド層とを具備することを特徴としている。
請求項（抜粋）：
少なくとも光導波層が形成されたメサストライプを有し、(100)結晶面を主面とする半導体基板と、前記メサストライプの両側面に形成された半導体埋め込み層と、メサストライプ領域および前記半導体埋め込み層上に形成され、(111)結晶面を側面とする断面略台形状であるストライプ状のクラッド層と、を具備することを特徴とする光半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
前のページに戻る
