特許
J-GLOBAL ID：200903026072973857
二次元画像検出器およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
原 謙三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-133986
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274448
出願日： 1998年05月15日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：
【要約】【課題】 光導電性を有する半導体層の材料にCdTeやCdZnTe等を使用することで、応答性が良く、さらに動画像にも対応できる二次元画像検出器およびその製造方法を提供する。【解決手段】 電荷蓄積容量4およびTFT5を具備したアクティブマトリクス基板1と、半導体基板18を備えた対向基板2とを、異方導電性接着剤3を用いて接着する。これにより、上記TFT5が既に形成されているアクティブマトリクス基板1上に半導体層を成膜せずに済むため、CdTeやCdZnTe等の使用が可能となる。
請求項（抜粋）：
格子状に配列された電極配線と、各格子点毎に設けられた複数のスイッチング素子と、該スイッチング素子を介して上記電極配線に接続される画素電極を含む電荷蓄積容量とからなる画素配列層と、上記画素配列層のほぼ全面に対向して形成される電極部と、上記画素配列層および電極部の間に形成され、光導電性を有する半導体層とを備えている二次元画像検出器において、上記画素配列層を含むアクティブマトリクス基板と、上記電極部および半導体層を含む対向基板とを備えており、上記アクティブマトリクス基板の画素配列層と、上記対向基板の半導体層とが対向するように両基板が配置されると共に、上記両基板は、画素配列層および半導体層の対向面の法線方向にのみ導電性を有する異方導電性材料によって接続されていることを特徴とする二次元画像検出器。
IPC (4件)：
H01L 27/14
, G01T 1/00
, G01T 1/24
, H01L 31/09
H01L 27/14 K
, G01T 1/00 B
, G01T 1/24
, H01L 31/00 A
