特許
J-GLOBAL ID：200903026106227009
FTIR法による膜厚測定方法および半導体ウェーハの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
荒船 良男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-260232
公開番号（公開出願番号）：特開2003-065724
出願日： 2001年08月29日
公開日（公表日）： 2003年03月05日
要約：
【要約】【課題】 基板上に形成された複数層の薄膜の、各層の膜厚を一度に測定可能なFTIR法による膜厚測定方法、およびこの膜厚測定方法を用いる半導体ウェーハの製造方法を提供する。【解決手段】 FTIR法による膜厚測定方法である。基板S上に互いにドーパント濃度の異なる複数層の薄膜E1,E2が形成された半導体ウェーハEPWに対し赤外線を照射し、この反射光の測定に基づくインターフェログラムの生成を複数回行う。これら生成した複数のインターフェログラムを積算することにより、基板Sと薄膜E1との界面および各薄膜E1,E2どうしの界面からの反射光に基づくサイドバースト11,13を認識し易くする。そして、各薄膜E1,E2の膜厚を測定する。この測定を、基板S上に互いにドーパント濃度の異なる複数層の薄膜E1,E2を連続的に形成した後に行う。
請求項（抜粋）：
基板上に互いにドーパント濃度の異なる複数層の薄膜が形成された半導体ウェーハに対し赤外線を照射し、この反射光の測定に基づくインターフェログラムの生成を複数回行い、これら生成した複数のインターフェログラムを積算することにより、各薄膜の膜厚を測定することを特徴とするFTIR法による膜厚測定方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G01B 11/06 G
, H01L 21/66 P
2F065AA30
, 2F065BB03
, 2F065BB22
, 2F065CC19
, 2F065CC31
, 2F065DD06
, 2F065FF52
, 2F065GG12
, 2F065GG22
, 2F065HH03
, 2F065HH12
, 2F065JJ03
, 2F065KK02
, 2F065LL12
, 2F065LL46
, 2F065QQ13
, 2F065QQ23
, 2F065QQ27
, 2F065UU05
, 2F065UU07
, 4M106AA01
, 4M106AA10
, 4M106BA08
, 4M106CA48
, 4M106DH03
, 4M106DH13
