マンガン酸化物の光の透過率・電気的伝導率の制御方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：清水守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-357890
公開番号（公開出願番号）：特開2002-160923
出願日： 2000年11月24日
公開日（公表日）： 2002年06月04日
要約：

【要約】【課題】マンガン酸化物にパルス光を照射することにより、光誘起効果による材料中のスピン秩序の変化を生起させ、応答性が速く、かつ高精度に光の透過率・電気的伝導率を制御することができるマンガン酸化物の光の透過率・電気的伝導率の制御方法を提供する。【解決手段】室温で、マンガン酸化物膜2に3.2eV(波長にして、約0.39μm;青色)のレーザー光3を照射することにより、光誘起効果による材料中のスピン秩序の変化を生起させ、前記マンガン酸化物膜2の1μm近傍の光の透過率・伝導率を高速で制御する。

請求項（抜粋）：

室温で、マンガン酸化物にパルス光を照射することにより、光誘起効果による材料中のスピン秩序の変化を生起させ、前記マンガン酸化物の光の透過率・電気的伝導率を制御することを特徴とするマンガン酸化物の光の透過率・電気的伝導率の制御方法。

Fターム (5件)：

4G048AA02 , 4G048AB01 , 4G048AC04 , 4G048AD02 , 4G048AE05

引用特許：

審査官引用 (4件)

マンガン酸化物材料における光誘起相転移を用いたスイッチング素子及びメモリー素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-064000 出願人：工業技術院長, 技術研究組合オングストロームテクノロジ研究機構
光機能性材料
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-293052 出願人：セイコーエプソン株式会社
光メモリー材料
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-248483 出願人：三洋電機株式会社, 技術研究組合オングストロームテクノロジ研究機構, 工業技術院長

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引用文献：

審査官引用 (6件)

Room-Temperature photo-switching in manganites film
Photoinduced demagnetization and its dynamical behavier in a (Nd0.5Sm0.5)0.6Sr0.4MnO3 thin film
Room-Temperature photo-switching in manganites film

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