特許

J-GLOBAL ID：200903026120080339

光電変換装置と半導体集積回路

発明者： 高橋 秀和 ,  篠原 真人
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-007328
公開番号（公開出願番号）：特開平9-199703
出願日： 1996年01月19日
公開日（公表日）： 1997年07月31日
要約：

【要約】【課題】 光電変換電荷の読み出しに悪影響を与えるMOSトランジスタの閾値Vthのバラツキ、増幅ゲインの低下、電源電圧VDDの変動等の基板バイアス効果を低減することを課題とする。【解決手段】 画素電荷読み出し用にアンプ用MOSトランジスタを設け、又は反転アンプのMOSトランジスタと当該MOSトランジスタの負荷用MOSトランジスタを備えた光電変換装置において、アンプ用又は前記負荷用MOSトランジスタのウェル濃度を他の周辺回路のウェル濃度よりも低くしたことを特徴とする。更にp/n型基板上に、フォトゲートと、転送用n/p型MOSトランジスタと、ソースホロワ型のアンプ用n/p型MOSトランジスタ等を各画素に備えた半導体集積回路において、前記アンプ用MOSトランジスタのウェル濃度を周辺回路のウェル濃度よりも小さくしたことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

画素電荷読み出し用にアンプ用MOSトランジスタを備えたCMOSプロセスコンパチブルセンサの光電変換装置において、前記アンプ用MOSトランジスタのウェル濃度を他の周辺回路のウェル濃度よりも低くしたことを特徴とする光電変換装置。

IPC (2件)：

H01L 27/146 ,  H01L 31/10

FI (2件)：

H01L 27/14 A ,  H01L 31/10 A

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 固体撮像装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-309056   出願人：株式会社東芝
• 特開昭58-105564
  
• 固体撮像素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-036922   出願人：オリンパス光学工業株式会社