特許
J-GLOBAL ID：200903026121192750
磁気抵抗効果多層膜
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-172590
公開番号（公開出願番号）：特開平9-023031
出願日： 1995年07月07日
公開日（公表日）： 1997年01月21日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、従来構造ではできなかった磁性層の多層膜構造を実現できる積層構造にすることにより、高いMR比を得ることができると同時に、結晶粒の粗大化が起こり難い層構造とすることにより耐熱性に優れさせた磁気抵抗効果多層膜を提供することを目的とする。【解決手段】 本発明は、強磁性層32と非磁性層31とが交互に積層された多層膜からなる磁気抵抗効果多層膜であって、前記強磁性層32が、(Co,Fe,Ni)-M-(C,N)の組成を有する軟磁性膜であり、この軟磁性膜が、平均結晶粒径20nm以下の(Co,Fe,Ni)なる組成の結晶粒32aと、元素Mの炭化物または窒化物とに分離されてなるものである。ただし、前記元素Mは、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Mo、Wのうち、1種または2種以上を示す。
請求項（抜粋）：
強磁性層と非磁性層とが交互に積層された多層膜からなる磁気抵抗効果多層膜であって、前記強磁性層が、X-M-Zの組成を有する軟磁性膜であり、この軟磁性膜が、平均結晶粒径20nm以下の元素Xの結晶粒と、元素Mの炭化物または窒化物とに分離されてなることを特徴とする磁気抵抗効果多層膜。ただし前記元素Xは、Fe、Co、Niのうち、1種または2種以上を示し、元素Mは、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Mo、Wのうち、1種または2種以上を示し、元素Zは、C、Nのうち、1種または2種を示す。
IPC (8件)：
H01L 43/08
, C23C 14/14
, G01B 7/00
, G01D 5/18
, G01R 33/09
, G11B 5/39
, H01F 10/26
, H01L 43/10
H01L 43/08 Z
, C23C 14/14 F
, G01B 7/00 J
, G01D 5/18 L
, G11B 5/39
, H01F 10/26
, H01L 43/10
, G01R 33/06 R
