特許

J-GLOBAL ID：200903026123757895

半導体ウェーハの研磨方法

発明者： 高梨 一仁 ,  鈴木 清 ,  渡辺 義典
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 石原 詔二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-247829
公開番号（公開出願番号）：特開2002-059356
出願日： 2000年08月17日
公開日（公表日）： 2002年02月26日
要約：

【要約】【課題】 半導体ウェーハの鏡面研磨工程、特に、仕上げ研磨で使用される研磨布として特定の研磨布を用いることによって、ウェーハ表面に微小傷や潜傷が発生しないようにした半導体ウェーハの研磨方法を提供する。【解決手段】 スェードタイプの研磨布を使用し研磨する研磨工程において、ナップ層の厚さが500μm以上の研磨布を用いて研磨するようにした。

請求項（抜粋）：

研磨布を使用し半導体ウェーハを鏡面研磨する研磨工程において、ナップ層の厚さが500μm以上の研磨布を用いて研磨することを特徴とする半導体ウェーハの研磨方法。

IPC (2件)：

B24B 37/00 ,  H01L 21/304 622

FI (2件)：

B24B 37/00 C ,  H01L 21/304 622 F

Fターム (3件)：

3C058AA07 ,  3C058AA09 ,  3C058CB10

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体ウエーハの鏡面研磨用研磨布、鏡面研磨方法ならびに鏡面研磨装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-259411   出願人：信越半導体株式会社, 長野電子工業株式会社, 直江津電子工業株式会社, 三益半導体工業株式会社