電界効果トランジスタ及びその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：吉武賢次 , 橘谷英俊 , 佐藤泰和 , 吉元弘 , 川崎康
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-381696
公開番号（公開出願番号）：特開2004-214386
出願日： 2002年12月27日
公開日（公表日）： 2004年07月29日
要約：

【課題】トランジスタ特性の大幅な改善をはかることを可能にする。【解決手段】基板に形成される半導体領域と、この半導体領域に形成される第1導電型のチャネル領域と、このチャネル領域上に形成され前記基板と格子間隔が異なる結晶質からなる金属酸化物層を少なくとも含むゲート絶縁膜と、このゲート絶縁膜上に形成されるゲート電極と、このゲート電極の両側の前記半導体領域に形成される第2導電型のソース・ドレイン領域とを備え、前記基板の少なくともチャネル領域の格子間隔が変調していることを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板に形成される半導体領域と、この半導体領域に形成される第1導電型のチャネル領域と、このチャネル領域上に形成され前記基板と格子間隔が異なる結晶質からなる金属酸化物層を少なくとも含むゲート絶縁膜と、このゲート絶縁膜上に形成されるゲート電極と、このゲート電極の両側の前記半導体領域に形成される第2導電型のソース・ドレイン領域とを備え、前記基板の少なくともチャネル領域の格子間隔が変調していることを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L29/78 , H01L21/316 , H01L21/336 , H01L29/786

FI (8件)：

H01L29/78 301H , H01L21/316 B , H01L29/78 301G , H01L29/78 618Z , H01L29/78 617T , H01L29/78 617U , H01L29/78 617V , H01L29/78 301Q

Fターム (78件)：

5F058BA20 , 5F058BC03 , 5F058BF01 , 5F058BH01 , 5F058BH20 , 5F058BJ10 , 5F110AA01 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110DD01 , 5F110DD05 , 5F110DD06 , 5F110DD11 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD17 , 5F110EE09 , 5F110EE38 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF05 , 5F110FF09 , 5F110FF23 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG06 , 5F110GG17 , 5F110GG19 , 5F110GG25 , 5F110GG32 , 5F110GG42 , 5F110GG44 , 5F110GG52 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HL03 , 5F110HL22 , 5F110NN02 , 5F110NN23 , 5F110NN35 , 5F110NN62 , 5F110QQ11 , 5F110QQ24 , 5F140AA04 , 5F140AA39 , 5F140AB03 , 5F140AC01 , 5F140AC28 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BA20 , 5F140BC00 , 5F140BC06 , 5F140BD01 , 5F140BD02 , 5F140BD05 , 5F140BD11 , 5F140BD13 , 5F140BE02 , 5F140BE09 , 5F140BE10 , 5F140BF03 , 5F140BF11 , 5F140BF15 , 5F140BF60 , 5F140BG28 , 5F140BG30 , 5F140BG38 , 5F140BJ01 , 5F140BJ05 , 5F140BJ27 , 5F140BK13 , 5F140BK29 , 5F140CF05

引用特許：

審査官引用 (1件)

半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-290937 出願人：株式会社東芝

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