特許
J-GLOBAL ID：200903026195408267

アクティブマトリクス回路およびその作製方法

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-281405
公開番号（公開出願番号）：特開平8-125192
出願日： 1994年10月20日
公開日（公表日）： 1996年05月17日
要約：
【要約】【目的】 特性のよいモノリシック型アクティブマトリクス回路とその製造方法を提供する。【構成】 順スタガー型のTFTを用いたモノリシック型アクティブマトリクス回路において、アモルファス半導体被膜を形成した後、周辺論理回路を形成する部分にレーザー光を選択的に照射して半導体被膜を結晶化せしめ、アクティブマトリクス回路を形成する部分にはレーザー光を照射しないことにより、前者には結晶性半導体TFTを後者にはアモルファス半導体TFTを形成する。
請求項（抜粋）：
同一基板上に、アクティブマトリクス回路およびそれを駆動するための周辺論理回路とを有するモノリシック型アクティブマトリクス回路を作製する方法において、絶縁表面上にN型もしくはP型の導電型を有する半導体被膜を選択的に形成する工程と、前記N型もしくはP型の導電型を有する半導体被膜上に実質的に真性なアモルファス半導体被膜を形成する工程と、前記半導体被膜のうち主として周辺論理回路を形成する領域に選択的にパルスレーザー光を照射することによって、該領域の実質的に真性な半導体を結晶化せしめる工程と、前記半導体被膜上にゲイト絶縁膜として機能する絶縁被膜を形成する工程と、前記絶縁被膜上にゲイト電極およびゲイト配線を形成する工程と、を有することを特徴とする作製方法。
IPC (7件)：
H01L 29/786 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/088 ,  H01L 27/08 331 ,  H01L 21/336
FI (3件)：
H01L 29/78 612 B ,  H01L 27/08 102 B ,  H01L 29/78 627 G
引用特許：
審査官引用 (3件)

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